- مشخصات
- رابط PCIe Gen4 x4، NVMe 1.4 خواندن متوالی (MB/s) :7400 نوشتن متوالی (MB/s) : 1TB - 2TB - 4TB 7000- 7000- 6000 خواندن تصادفی (IOPS): 1TB - 2TB - 4TB 1,000,000- 1,000,000- 750,000 نوشتن تصادفی : (IOPS) 1,000,000 حداکثر توان عملیاتی 1TB - 2TB - 4TB (W) 9.5 -10.5 -11.3 1TB - 2TB - 4TB Idle Power PS3 (mW) 40 - 45 - 50 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد میانگین زمان بین شکست (MTBF) تا 1,600,000 ساعتسازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی تا (MB/S) : 500GB-1TB-2TB-4TB 5000- 5000- 5000- 4700 نوشتن متوالی تا (MB/S): 500GB-1TB-2TB-4TB 4200 -4200- 3200 -1700 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت تا (IOPS): 500GB-1TB-2TB-4TB 600,000- 680,000- 630,000- 320,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت تا (IOPS) : 850,000 -880,000 -750,000- 400,000 حداکثر توان عملیاتی (W): 500GB-1TB-2TB-4TB 5.1- 4.4- 4.1- 3.7 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد میانگین زمان بین شکست (MTBF) تا 1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش)
مشخصات فیزیکی
-
ابعاد
-
80x22x2.15 میلیمتر
-
وزن
-
8 گرم
مشخصات فنی
-
ظرفیت
-
512 گیگابایت
-
نوع رابط
-
PCI-Express 3.0 x4
-
فرم فاکتور
-
M.2
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
-
2100 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
-
1500 مگابایت بر ثانیه
-
مقاوم در برابر شوک
-
-
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
-
1500G/0.5ms
-
میانگین عمر
-
2 میلیون ساعت
-
سایر قابلیت ها
-
پشتیبانی از NVMe 1.3دارای فناوری SLC Cachingدارای فناوری اصلاح خطا LDPC-ECCدمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگرادساختار حافظه 3D NAND Flashمیانگین زمان بین خرابیها: 2000000 ساعت