مقایسه محصولات

  • اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل SU750 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل SU750 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل SU750 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل SU750 ظرفیت 1 ترابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
  • مشخصات
  • سازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی (MB/S) : 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 4900 -5000-5000 - 4650 نوشتن متوالی (MB/S) : GB-250 500GB- 1TB- 2TB 4400 - 4500- 3750- 1900 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت : GB-250 500GB- 1TB- 2TB (IOPS) 220,000- 440,000- 550,000-525,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت : GB-250 500GB- 1TB- 2TB (IOPS) 470,000- 920,000- 950,000 -950,000 حداکثر توان عملیاتی (W): GB-250 500GB- 1TB- 2TB 5.2 - 4.3- 4.0 -3.6 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد میانگین زمان بین شکست (MTBF): 1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری نظارت، تحلیل و گزارش خود)


مشخصات فیزیکی

  • ابعاد

  • 7 × 69.9 × 100 میلی‌متر
    100.45x69.85x7 میلی‌متر
  • وزن

  • 41 گرم
    47.5 گرم

مشخصات فنی

  • ظرفیت

  • 480 گیگابایت
    1 ترابایت
  • نوع رابط

  • SATAIII
    SATAIII
  • فرم فاکتور

  • 2.5 اینچ
    2.5 اینچ
  • سرعت انتقال اطلاعات

  • 6 گیگابیت بر ثانیه

  • کنترل کننده

  • 2Ch

  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • 500 مگابایت بر ثانیه
    550 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • تا 450 مگابایت بر ثانیه
    520 مگابایت بر ثانیه
  • مقاوم در برابر خش


  • مقاوم در برابر ضربه


  • مقاوم در برابر لرزش

  • Yes

  • مقاوم در برابر شوک

  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

  • 2.17G
    1500G/0.5ms
  • نوع فلش

  • TLC
    TLC
  • میانگین عمر

  • 1 میلیون ساعت MTBF
    2 میلیون ساعت
  • سایر قابلیت ها

  • 160TB نوشتن داده در طول عمر (TBW)
    حافظه بافر DRAM
    دارای استانداردهای CE، FCC و ROHS
    دارای فناوری SLC Caching
    دارای فناوری اصلاح ارور LDPC
    دمای عملکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
    ساختار حافظه 3D NAND Flash
    میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2 میلیون ساعت