مقایسه محصولات

  • اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال ایکس پی جی مدل SX6000 Pro PCIe Gen3x4 M.2 2280 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ایکس پی جی مدل SX6000 Pro PCIe Gen3x4 M.2 2280 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ایکس پی جی مدل SX6000 Pro PCIe Gen3x4 M.2 2280 ظرفیت 1 ترابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
  • مشخصات
  • سازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی (MB/S) : 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 4900 -5000-5000 - 4650 نوشتن متوالی (MB/S) : GB-250 500GB- 1TB- 2TB 4400 - 4500- 3750- 1900 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت : GB-250 500GB- 1TB- 2TB (IOPS) 220,000- 440,000- 550,000-525,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت : GB-250 500GB- 1TB- 2TB (IOPS) 470,000- 920,000- 950,000 -950,000 حداکثر توان عملیاتی (W): GB-250 500GB- 1TB- 2TB 5.2 - 4.3- 4.0 -3.6 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد میانگین زمان بین شکست (MTBF): 1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری نظارت، تحلیل و گزارش خود)


مشخصات فیزیکی

  • ابعاد

  • 7 × 69.9 × 100 میلی‌متر
    80x22x2.15 میلی‌متر
  • وزن

  • 41 گرم
    8 گرم

مشخصات فنی

  • ظرفیت

  • 480 گیگابایت
    1 ترابایت
  • نوع رابط

  • SATAIII
    PCI-Express 3.0 x4
  • فرم فاکتور

  • 2.5 اینچ
    M.2
  • سرعت انتقال اطلاعات

  • 6 گیگابیت بر ثانیه

  • کنترل کننده

  • 2Ch

  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • 500 مگابایت بر ثانیه
    2100 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • تا 450 مگابایت بر ثانیه
    1500 مگابایت بر ثانیه
  • مقاوم در برابر خش


  • مقاوم در برابر ضربه


  • مقاوم در برابر لرزش

  • Yes

  • مقاوم در برابر شوک

  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

  • 2.17G
    1500G / 0.5ms
  • نوع فلش

  • TLC

  • میانگین عمر

  • 1 میلیون ساعت MTBF
    2 میلیون ساعت
  • سایر قابلیت ها

  • 160TB نوشتن داده در طول عمر (TBW)
    پشتیبانی از NVMe 1.3
    دارای فناوری SLC Caching
    دارای فناوری اصلاح خطا LDPC-ECC
    دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
    ساختار حافظه 3D NAND Flash
    میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2000000 ساعت