مقایسه محصولات

  • اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M460 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال کینگستون مدل A400 ظرفیت 480 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل SU650 M.2 2280 ظرفیت 480 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل SU650 M.2 2280 ظرفیت 480 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل SU650 M.2 2280 ظرفیت 480 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
  • مشخصات
  • سازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی (MB/S) : 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 4900 -5000-5000 - 4650 نوشتن متوالی (MB/S) : GB-250 500GB- 1TB- 2TB 4400 - 4500- 3750- 1900 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت : GB-250 500GB- 1TB- 2TB (IOPS) 220,000- 440,000- 550,000-525,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت : GB-250 500GB- 1TB- 2TB (IOPS) 470,000- 920,000- 950,000 -950,000 حداکثر توان عملیاتی (W): GB-250 500GB- 1TB- 2TB 5.2 - 4.3- 4.0 -3.6 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد میانگین زمان بین شکست (MTBF): 1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری نظارت، تحلیل و گزارش خود)


مشخصات فیزیکی

  • ابعاد

  • 7 × 69.9 × 100 میلی‌متر
    3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
  • وزن

  • 41 گرم
    7 گرم

مشخصات فنی

  • ظرفیت

  • 480 گیگابایت
    480 گیگابایت
  • نوع رابط

  • SATAIII
    SATAIII
  • فرم فاکتور

  • 2.5 اینچ
    M.2
  • سرعت انتقال اطلاعات

  • 6 گیگابیت بر ثانیه
    SATA 6Gb/s
  • کنترل کننده

  • 2Ch
    3D NAND
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • 500 مگابایت بر ثانیه
    550 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

  • تا 450 مگابایت بر ثانیه
    510 مگابایت بر ثانیه
  • مقاوم در برابر خش


  • مقاوم در برابر ضربه


  • مقاوم در برابر لرزش

  • Yes
    Yes
  • مقاوم در برابر شوک

  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

  • 2.17G
    1500G/0.5ms
  • نوع فلش

  • TLC

  • میانگین عمر

  • 1 میلیون ساعت MTBF
    2 میلیون ساعت
  • سایر قابلیت ها

  • 160TB نوشتن داده در طول عمر (TBW)
    استفاده از الگوریتم SLC Caching
    حافظه بافر DRAM
    دارای فناوری اصلاح ارور LDPC
    دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
    ساختار حافظه 3D NAND Flash
    میانگین زمان بین خرابی‌ها: 2 میلیون ساعت