- مشخصات
- سازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی (MB/S) : 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 4900 -5000-5000 - 4650 نوشتن متوالی (MB/S) : GB-250 500GB- 1TB- 2TB 4400 - 4500- 3750- 1900 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت : GB-250 500GB- 1TB- 2TB (IOPS) 220,000- 440,000- 550,000-525,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت : GB-250 500GB- 1TB- 2TB (IOPS) 470,000- 920,000- 950,000 -950,000 حداکثر توان عملیاتی (W): GB-250 500GB- 1TB- 2TB 5.2 - 4.3- 4.0 -3.6 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد میانگین زمان بین شکست (MTBF): 1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری نظارت، تحلیل و گزارش خود)
- سایر مشخصات
- مقاومت در برابر شوک : بله میزان مقاومت شوک : 1500G/0.5ms میانگین عمر - MTBF : (1.800.000 ساعت) دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد دمای ذخیره سازی : 40- تا 85 درجه سانتیگراد سایر قابلیت ها : پشتیبانی از NVMe 1.3
- مزایا
- رابط PCIe Gen3x4 مقاوم در برابر شوک پشتیبانی از NVMe 1.3 سرعت خواندن و نوشتن بالا پشتیبانی از SLC Caching و HMB Host Memory Buffer بکارگیری 3D NAND Flash نسل دوم با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND
مشخصات فیزیکی
-
ابعاد
-
7 × 69.8 × 100 میلیمتر
-
وزن
-
78.6 گرم
مشخصات فنی
-
ظرفیت
-
128 گیگابایت
-
نوع رابط
-
SATAIII
-
فرم فاکتور
-
2.5 اینچ
-
کنترل کننده
-
Phison S11
-
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
-
555 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
-
500 مگابایت بر ثانیه
-
مقاوم در برابر خش
-
-
مقاوم در برابر ضربه
-
-
مقاوم در برابر لرزش
-
-
مقاوم در برابر شوک
-
-
نوع فلش
-
TLC
-
پشتیبانی از TRIM
-