مقایسه محصولات

  • اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    3,450,000 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    حافظه اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 128 گیگابایت
    حافظه اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 128 گیگابایت
    حافظه اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 128 گیگابایت
    حافظه اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 128 گیگابایت
    حافظه اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 128 گیگابایت
    حافظه اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 128 گیگابایت
    حافظه اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 128 گیگابایت
    حافظه اس اس دی اینترنال ای دیتا مدل XPG SX6000 Lite با ظرفیت 128 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
  • مشخصات
  • سازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی تا (MB/S) : 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 3300 -3600 -3600 - 3500 نوشتن متوالی (MB/S): 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 3000- 3000 -2300- 1200 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت (IOPS): 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 380,000 -420,000 -300,000- 150,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت (IOPS): 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 540,000 -550,000- 550,000- 300,000 حداکثر توان عملیاتی (W) : 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 4.5- 4.0- 3.4- 3.4 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد ترابایت نوشته شده (TBW) : 250GB- 500GB- 1TB- 2TB 1200 -600 - 300 - 150 میانگین زمان بین شکست (MTBF) تا :1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری نظارت، تحلیل و گزارش خود)

  • مشخصات فیزیکی

  • ابعاد: 22 * 80 * 2.15 میلیمتر وزن: 8 گرم فرم فاکتور: M.2 2280 نوع فلش: 3D NAND
  • مشخصات فنی

  • ظرفیت: 128 گیگابایت نوع رابط : PCIe Gen3x4 سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 1800 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 1200 مگابایت بر ثانیه سرعت خواندن اطلاعات تصادفی : 220K IOPS سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی : 200K IOPS
  • سایر مشخصات

  • مقاومت در برابر شوک : بله میزان مقاومت شوک : 1500G/0.5ms میانگین عمر - MTBF : (1.800.000 ساعت) دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد دمای ذخیره سازی : 40- تا 85 درجه سانتیگراد سایر قابلیت ها : پشتیبانی از NVMe 1.3
  • مزایا

  • رابط PCIe Gen3x4 مقاوم در برابر شوک پشتیبانی از NVMe 1.3 سرعت خواندن و نوشتن بالا پشتیبانی از SLC Caching و HMB Host Memory Buffer بکارگیری 3D NAND Flash نسل دوم با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND