مقایسه محصولات

  • اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M461 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M461 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M461 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M461 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M461 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M461 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی سامسونگ مدل 860 Evo ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی سامسونگ مدل 860 Evo ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی سامسونگ مدل 860 Evo ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی سامسونگ مدل 860 Evo ظرفیت 1 ترابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
  • مشخصات
  • سازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی تا (MB/S) : 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 3300 -3600 -3600 - 3500 نوشتن متوالی (MB/S): 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 3000- 3000 -2300- 1200 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت (IOPS): 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 380,000 -420,000 -300,000- 150,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت (IOPS): 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 540,000 -550,000- 550,000- 300,000 حداکثر توان عملیاتی (W) : 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 4.5- 4.0- 4.8- 3.4 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد ترابایت نوشته شده (TBW) : 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 1200 -600 - 300 - 150 میانگین زمان بین شکست (MTBF) تا :1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری نظارت، تحلیل و گزارش خود)
    سازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی تا (MB/S) : 500GB-1TB-2TB-4TB 5000- 5000- 5000- 4700 نوشتن متوالی تا (MB/S): 500GB-1TB-2TB-4TB 4200 -4200- 3200 -1700 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت تا (IOPS): 500GB-1TB-2TB-4TB 600,000- 680,000- 630,000- 320,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت تا (IOPS) : 850,000 -880,000 -750,000- 400,000 حداکثر توان عملیاتی (W): 500GB-1TB-2TB-4TB 5.1- 4.4- 4.1- 3.7 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد میانگین زمان بین شکست (MTBF) تا 1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش)

مشخصات فیزیکی

  • ابعاد


  • 100×69.85×6.8 میلی‌متر
  • وزن


  • 51 گرم

مشخصات فنی

  • ظرفیت


  • 1 ترابایت
  • نوع رابط


  • SATAIII
  • بافر(حافظه کش)


  • 1G
  • فرم فاکتور


  • 2.5 اینچ
  • کنترل کننده


  • Samsung MJX
  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی


  • 550 مگابایت بر ثانیه
  • سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی


  • 520 مگابایت بر ثانیه
  • مقاوم در برابر خش


  • سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی


  • 98,000 IOPS
  • مقاوم در برابر شوک


  • حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک


  • 1500G
  • نوع فلش


  • MLC
  • میانگین عمر


  • تا 600 ترابایت نوشتن
  • پشتیبانی از RAID


  • پشتیبانی از TRIM