مقایسه محصولات

  • اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال ایکس پی جی مدل XPG SX8200 Pro ای دیتا ظرفیت 512 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ایکس پی جی مدل XPG SX8200 Pro ای دیتا ظرفیت 512 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ایکس پی جی مدل XPG SX8200 Pro ای دیتا ظرفیت 512 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال ایکس پی جی مدل XPG SX8200 Pro ای دیتا ظرفیت 512 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
    اس اس دی اینترنال کیوکسیا مدل KIOXIA EXCERIA ظرفیت 960 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال کیوکسیا مدل KIOXIA EXCERIA ظرفیت 960 گیگابایت
    اس اس دی اینترنال کیوکسیا مدل KIOXIA EXCERIA ظرفیت 960 گیگابایت
    0 تومان
    مشاهده و خرید محصول
  • مشخصات
  • سازگاری PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1 خواندن متوالی تا (MB/S) : 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 3300 -3600 -3600 - 3500 نوشتن متوالی (MB/S): 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 3000- 3000 -2300- 1200 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت (IOPS): 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 380,000 -420,000 -300,000- 150,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت (IOPS): 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 540,000 -550,000- 550,000- 300,000 حداکثر توان عملیاتی (W) : 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 4.5- 4.0- 4.8- 3.4 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد ترابایت نوشته شده (TBW) : 250GB- 500/512GB- 1TB- 2TB 1200 -600 - 300 - 150 میانگین زمان بین شکست (MTBF) تا :1500000 ساعت ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری نظارت، تحلیل و گزارش خود)
    فاکتور فرم :M.2 2280 ابعاد (L x W x H): 80 x 22 x 3.5 mm / 3.15 x 0.87 x 0.14 اینچ سازگار با : NVMe 1.3 خواندن متوالی (حداکثر) : تا 3500 مگابایت بر ثانیه نوشتن متوالی (حداکثر) : تا 3000 مگابایت بر ثانیه خواندن تصادفی (IOPS) (حداکثر): تا 390K نوشتن تصادفی ( IOPS)(حداکثر): تا 380K 0 درجه سانتی گراد - 70 درجه سانتی گراد دمای ذخیره سازی -40 درجه سانتیگراد - 85 درجه سانتیگراد نسل جدید 3D NAND flash : ظرفیت بیشتر، قابلیت اطمینان بالاتر و مصرف انرژی بهینه تر MTBF : 2000000 ساعت بهره گیری از فورم فاکتور M.2 2280 مناسب برای سیستم‌ها و لپ‌تاپ‌های گیمینگ، رندرینگ، اورکلاکرها و فعالیت‌های حرفه‌ای
    قابلیت‌های حافظه:پشتیبانی از TRIM حداکثر کمک سرعت خواندن/نوشتن ترتیبی 555/540 مگابایت بر ثانیه مقاوم در برابر شوک و لرزش میانگین عمر:۱.۵ میلیون ساعت سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 240 گیگابایت: 87000 IOPS 480 گیگابایت: 88000 IOPS سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 240 گیگابایت: 79000 IOPS 480 گیگابایت: 82000 IOPS