مقایسه محصولات

  • مشخصات
  • قابلیت‌های حافظه:پشتیبانی از TRIM حداکثر کمک سرعت خواندن/نوشتن ترتیبی 555/540 مگابایت بر ثانیه مقاوم در برابر شوک و لرزش میانگین عمر:۱.۵ میلیون ساعت سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی: 240 گیگابایت: 87000 IOPS 480 گیگابایت: 88000 IOPS سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی: 240 گیگابایت: 79000 IOPS 480 گیگابایت: 82000 IOPS
    خواندن متوالی تا (MB/S) :500 نوشتن متوالی تا (MB/S): 960GB-480GB-240GB-120GB 360 -400- 450- 450 خواندن تصادفی 4 کیلوبایت تا (IOPS): 960GB-480GB-240GB-120GB 38,000- 50,000 -55,000- 55,000 نوشتن تصادفی 4 کیلوبایت تا (IOPS) : 960GB-480GB-240GB-120GB 72,000- 80,000 -80,000- 80,000 حداکثر توان عملیاتی (W) : 960GB-480GB-240GB-120GB 1.8 -1.7- 2.0- 2.1 دمای کارکرد 0 تا 70 درجه سانتی گراد دمای نگهداری -40 درجه سانتیگراد تا 85 درجه سانتیگراد میانگین زمان بین شکست (MTBF) تا 2000000 ساعت. ویژگی های پیشرفته TRIM (بهینه سازی عملکرد، پشتیبانی سیستم عامل مورد نیاز است) SMART (فناوری نظارت، تحلیل و گزارش خود) الگوریتم ECC LDPC (بررسی برابری چگالی کم).


  • مشخصات فیزیکی



  • ابعاد: 22 * 80 * 2.15 میلیمتر وزن: 8 گرم فرم فاکتور: M.2 2280 نوع فلش: 3D NAND
  • مشخصات فنی



  • ظرفیت: 128 گیگابایت نوع رابط : PCIe Gen3x4 سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 1800 مگابایت بر ثانیه سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 1200 مگابایت بر ثانیه سرعت خواندن اطلاعات تصادفی : 220K IOPS سرعت نوشتن اطلاعات تصادفی : 200K IOPS
  • سایر مشخصات



  • مقاومت در برابر شوک : بله میزان مقاومت شوک : 1500G/0.5ms میانگین عمر - MTBF : (1.800.000 ساعت) دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد دمای ذخیره سازی : 40- تا 85 درجه سانتیگراد سایر قابلیت ها : پشتیبانی از NVMe 1.3
  • مزایا



  • رابط PCIe Gen3x4 مقاوم در برابر شوک پشتیبانی از NVMe 1.3 سرعت خواندن و نوشتن بالا پشتیبانی از SLC Caching و HMB Host Memory Buffer بکارگیری 3D NAND Flash نسل دوم با قابلیت فراهم کردن چگالی نگهداری و قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به 2D NAND